近日，“拓諾稀科技”完成天使輪融資。本輪融資數(shù)百萬元人民幣，由力合科創(chuàng)領(lǐng)投。此次融資將用于引進(jìn)先進(jìn)設(shè)備，提升MOCVD和mist-CVD技術(shù)路線的產(chǎn)能，以滿足快速增長的市場需求。

拓諾稀科技是一家氧化鎵外延薄膜制備及高性能半導(dǎo)體器件研發(fā)商，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā)，并在非晶氧化鎵薄膜技術(shù)及離子注入裝置領(lǐng)域擁有核心專利。

隨著全球電子信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，第三代、第四代半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新已成為各國競相追逐的焦點(diǎn)。其中，氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導(dǎo)體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。氧化鎵憑借其高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率，為高功率和高頻應(yīng)用帶來了顯著的優(yōu)勢，成為新一代半導(dǎo)體材料中的熱門研究方向。

深圳市力合科創(chuàng)股份有限公司創(chuàng)新部成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目經(jīng)理張恒嘉表示：拓諾稀科技專注的第四代半導(dǎo)體氧化鎵外延生長，屬于材料底層創(chuàng)新。在全球半導(dǎo)體技術(shù)升級和國產(chǎn)替代需求日益迫切的背景下，其研發(fā)方向具有深遠(yuǎn)的戰(zhàn)略意義。其P型摻雜技術(shù)更是創(chuàng)新性突破國際難題，在高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā)方面具有很好的想象力。我們很高興能參與拓諾稀科技的成長之路。未來，力合科創(chuàng)將積極踐行“讓科技創(chuàng)新種子長成參天產(chǎn)業(yè)大樹”的使命，為初創(chuàng)科技企業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供全要素、全鏈條投資孵化服務(wù)。